薄膜无源器件

薄膜无源器件

特点及薄膜工艺能力

特点

高频率、高性能、低温漂
陶瓷基板，共面波导50Ω输出
表贴，适用于多芯片集成模块

薄膜工艺能力

精密导线:

导线宽度/厚度比≥3，最小线宽/间距5μm，公差±1μm

通孔金属化:

孔径：D≥0.1mm; 径深比D/H≥0.3
边沿宽度：C≥0.05mm
孔电阻：R≤10mΩ

精密电阻:

精确控制线条精度和厚度
方阻范围：5Ω/□~200Ω/□
温度系数：20±60ppm (-50~150℃)
电阻精度：±2%，激光修调:±0.1%
电阻线宽/间距：≥5 μm

典型波形特性

12-1典型波形特性

12-2典型波形特性

主要参数

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